STMicroelectronics Lève le Voile sur sa Technologie de Puissance en Carbure de Silicium pour Véhicules Électriques
STMicroelectronics, un leader mondial dans le domaine des semiconducteurs, a récemment annoncé le lancement de sa quatrième génération de MOSFET en technologie carbure de silicium (SiC), conçue spécifiquement pour les onduleurs de traction des futurs véhicules électriques (VE). Cette nouvelle technologie promet d'améliorer l'efficacité énergétique et la densité de puissance, tout en répondant aux exigences croissantes du marché automobile.
Les nouveaux composants SiC, disponibles en catégories de 750 V et 1 200 V, seront produits en volume croissant jusqu'en 2025. Ils visent à rendre les avantages du carbure de silicium accessibles non seulement aux modèles haut de gamme, mais aussi aux véhicules de taille moyenne et compacts, favorisant ainsi leur adoption sur le marché de masse. Marco Cassis, président du Groupe Produits analogiques, a déclaré : « STMicroelectronics s'engage à guider l'avenir de la mobilité électrique avec sa technologie de pointe en carbure de silicium ».
La quatrième génération de MOSFET SiC se distingue par une résistance à l'état passant drain-source (RDS(on)) significativement réduite, minimisant les pertes de conduction et améliorant l'efficacité globale des systèmes. Ces innovations permettent également des vitesses de commutation plus rapides, essentielles pour les applications à haute fréquence, contribuant à des convertisseurs de puissance plus compacts et efficaces.
En parallèle, STMicroelectronics prévoit d'introduire plusieurs innovations technologiques en SiC jusqu'en 2027, y compris une avancée radicale qui pourrait révolutionner le secteur. La société participera à l'ICSCRM 2024, une conférence dédiée aux technologies en carbure de silicium, où elle présentera ses dernières avancées.
La stratégie de fabrication intégrée verticalement de ST garantit une chaîne d'approvisionnement résiliente et une qualité optimale pour ses clients. Avec l'annonce récente de sa nouvelle unité de fabrication de substrats en SiC à Catane, prévue pour démarrer en 2026, ST se positionne comme un acteur clé dans la transition vers l'e-mobilité et l'amélioration de l'efficacité dans les applications industrielles.
En conclusion, les MOSFET SiC de quatrième génération de STMicroelectronics représentent une avancée majeure dans la technologie de conversion d'énergie, offrant des solutions innovantes tant pour le secteur automobile que pour les applications industrielles. Pour plus d'informations sur cette technologie prometteuse, visitez le site officiel de STMicroelectronics.